SVT042R5NT Todos los transistores

 

SVT042R5NT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVT042R5NT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO220

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SVT042R5NT datasheet

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SVT042R5NT

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SVT042R5NT

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

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SVT042R5NT

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

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History: FDS3992 | VST007N07MS | JMSL1040AUQ | LSB60R092GT | J330 | FDMS7658AS | JMSL1040AGDQ

 

 

 

 

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