SVT042R5NT - аналоги и даташиты транзистора

 

SVT042R5NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVT042R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVT042R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT042R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 8.1. Size:382K  silan
 svt04230nr.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , 4N60 , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT .

History: MEE4294K2-G | WM02DN110C | MDP9N50BTH | PSMN6R1-30YLD | LNF4N60 | HPM2305 | WM02DH08D

 

 
Back to Top

 


 
.