Справочник MOSFET. SVT042R5NT

 

SVT042R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT042R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT042R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  silan
 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 8.1. Size:382K  silan
 svt04230nr.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT042R5NT

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD60R1K4C6 | PNMET20V06E | IXFX30N110P | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | AP2626GY-HF | IRF730SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.