SVT042R5NT - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVT042R5NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVT042R5NT
   Маркировка: 042R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   trⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVT042R5NT

SVT042R5NT Datasheet (PDF)

..1. Size:353K silan
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

8.1. Size:382K silan
svt04230nr.pdf

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

9.1. Size:352K silan
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

9.2. Size:485K silan
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

9.3. Size:459K silan
svt044r5nt svt044r5ndtr svt044r5nl5tr.pdf