SVT042R5NT - описание и поиск аналогов

 

SVT042R5NT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVT042R5NT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVT042R5NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT042R5NT даташит

 ..1. Size:353K  silan
svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdfpdf_icon

SVT042R5NT

 8.1. Size:382K  silan
svt04230nr.pdfpdf_icon

SVT042R5NT

 9.1. Size:352K  silan
svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdfpdf_icon

SVT042R5NT

SVT043R0NT/L5 180A 40V N 2 S D 1 8 SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D 2 LVMOS 1 D S 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:485K  silan
svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdfpdf_icon

SVT042R5NT

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

Другие MOSFET... SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT , SVT04230NR , SVT042R5NL5TR , 4N60 , SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.