SVT043R0NL5TR Todos los transistores

 

SVT043R0NL5TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT043R0NL5TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVT043R0NL5TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  silan
 svt043r0nt svt043r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVT043R0NL5TR

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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 svt042r5nl5tr svt042r5nt.pdf pdf_icon

SVT043R0NL5TR

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

 9.2. Size:382K  silan
 svt04230nr.pdf pdf_icon

SVT043R0NL5TR

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

 9.3. Size:485K  silan
 svt044r5nt svt044r5nd svt044r5nl5.pdf pdf_icon

SVT043R0NL5TR

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

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History: DMP6110SSD | ELM56801EA | NTLJS4159NT1G | IRFZ48RPBF | WFW40N25W | STW62N65M5 | FDS6892A

 

 
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