SVT078R0NS Todos los transistores

 

SVT078R0NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT078R0NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 262 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SVT078R0NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 5.1. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

 9.1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

Otros transistores... SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , 75N75 , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , SVT10500PD , SVT1104SA .

History: HM50N06KA

 

 
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