SVT078R0NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT078R0NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 262 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVT078R0NS datasheet
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A 68V N 2 SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt078r0nd.pdf
R UMW SVT078R0ND 68V N-Channel Power Mosfet UMW SVT078R0ND General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 68V,ID =88A RDS(ON),6.3m (Typ) @ VGS =10V Low On-Resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capa
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History: MTA50P01SN3
History: MTA50P01SN3
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