Справочник MOSFET. SVT078R0NS

 

SVT078R0NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVT078R0NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVT078R0NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVT078R0NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  silan
 svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1

 5.1. Size:1010K  umw-ic
 svt078r0nd.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa

 9.1. Size:442K  1
 svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf pdf_icon

SVT078R0NS

SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , 75N75 , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , SVT10500PD , SVT1104SA .

History: STB12NM50N | NCE8651Q

 

 
Back to Top

 


 
.