SVT078R0NS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT078R0NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVT078R0NS
SVT078R0NS Datasheet (PDF)
svt078r0nt svt078r0ns svt078r0nstr.pdf
SVT078R0NT/S 88A68V N 2SVT078R0NT/S N MOS LVMOS 1
svt078r0nd.pdf
RUMWSVT078R0ND68V N-Channel Power MosfetUMW SVT078R0NDGeneral DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent Rdsonand low gate charge. Which accords with the RoHS standard.FeaturesVDS = 68V,ID =88ARDS(ON),6.3m(Typ) @ VGS =10VLow On-ResistanceLow gate chargeFast switchingLow reverse transfer capa
svt077r5nt svt077r5nd svt077r5ns.pdf
SVT077R5NT/D/S 95A68V N 2SVT077R5NT/D/S N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... SVT043R0NL5TR , SVT043R0NT , SVT044R5NDTR , SVT044R5NL5TR , SVT068R5NDTR , SVT068R5NL5TR , SVT068R5NSTR , SVT068R5NT , RU6888R , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , SVT10500PD , SVT1104SA .
History: MDS3603URH | SSF2112H2 | 2SK632 | AOCR32326 | SSF2336 | WMM14N60C4 | SM3054NSU
History: MDS3603URH | SSF2112H2 | 2SK632 | AOCR32326 | SSF2336 | WMM14N60C4 | SM3054NSU
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630