SVT3025D4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT3025D4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
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SVT3025D4 Datasheet (PDF)
nst30010mxv6t1g nsvt30010mxv6t1g.pdf
NST30010MXV6T1G,NSVT30010MXV6T1GDual Matched GeneralPurpose TransistorPNP Matched Pairhttp://onsemi.comThese transistors are housed in an ultra-small SOT563 packageideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,Sense a
nsvt30010mxv6t1g.pdf
NST30010MXV6T1G,NSVT30010MXV6T1GDual Matched GeneralPurpose TransistorPNP Matched Pairhttp://onsemi.comThese transistors are housed in an ultra-small SOT563 packageideally suited for portable products. They are assembled to create apair of devices highly matched in all parameters, eliminating the needfor costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential,Sense a
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Liste
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