WM02DH50M3 Todos los transistores

 

WM02DH50M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02DH50M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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WM02DH50M3 datasheet

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WM02DH50M3

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WM02DH50M3

Document W0803114, Rev C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6 V = 20V, I = 0.75A DS D R

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WM02DH50M3

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel V = 20V, I = 1.4A DS D R

 8.3. Size:467K  way-on
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WM02DH50M3

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS D R

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History: WM02DN08D | WM02DN50M3 | ITF86116SQT | VN0300 | BLM3407 | WM02DN560Q | ITF86110DK8T

 

 

 

 

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