WM02DH50M3 Todos los transistores

WM02DH50M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02DH50M3
   Código: 2038
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02DH50M3

WM02DH50M3 Datasheet (PDF)

..1. Size:905K way-on
wm02dh50m3.pdf

WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR

8.1. Size:600K way-on
wm02dh08t.pdf

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR

8.2. Size:609K way-on
wm02dh08m3.pdf

WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR

8.3. Size:467K way-on
wm02dh08d.pdf

WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR

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WM02DH50M3

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Liste

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