WM02DH50M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02DH50M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02DH50M3
WM02DH50M3 Datasheet (PDF)
wm02dh50m3.pdf
WM02DH50M31 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 5A DS DR
wm02dh08t.pdf
Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel 6V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02dh08m3.pdf
WM02DH08M3 N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N-Channel: V = 20V, I = 1.4A DS DR
wm02dh08d.pdf
WM02DH08D N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs N - Channel V = 20V, I = 0.75A DS DR
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Liste
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