WM02DN080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02DN080C
Código: C080N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2030-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02DN080C
WM02DN080C Datasheet (PDF)
wm02dn080c.pdf
WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) (BR)DSS D DS(on)WM02DN080C-YW uses advanced power trench 13.0 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 13.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8 14.0 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 15.0 @VGS=3.1V switch, facilit
wm02dn08t.pdf
Document: W0803109, Rev: C WM02DN08T T Dual N-Channel MOSFET Features V = 20 V, I = 0.75 A DS DR
wm02dn085c.pdf
Document: W0803219, Rev: D WM02DN085C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) (BR)DSS D DS(on)WM02DN085C uses advanced power trench 8.2 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 8.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8.5 8.8 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 9.5 @V
wm02dn08d.pdf
WM02DN08D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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