WM02DN095C Todos los transistores

 

WM02DN095C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02DN095C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm

Encapsulados: DFN2030-6L

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WM02DN095C datasheet

 ..1. Size:336K  way-on
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WM02DN095C

Document W0803218, Rev D WM02DN095C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) (BR)DSS D DS(on) WM02DN095C uses advanced power trench 7.4 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 7.8 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 9.5 8.0 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 8.8 @V

 7.1. Size:459K  way-on
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WM02DN095C

Document W0803109, Rev C WM02DN08T T Dual N-Channel MOSFET Features V = 20 V, I = 0.75 A DS D R

 7.2. Size:336K  way-on
 wm02dn085c.pdf pdf_icon

WM02DN095C

Document W0803219, Rev D WM02DN085C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) (BR)DSS D DS(on) WM02DN085C uses advanced power trench 8.2 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 8.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8.5 8.8 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 9.5 @V

 7.3. Size:595K  way-on
 wm02dn08d.pdf pdf_icon

WM02DN095C

WM02DN08D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

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History: WM03N32M | WMK20N50D1 | IRF3415PBF | IRF3546M

 

 

 

 

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