WM02N08FB Todos los transistores

 

WM02N08FB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02N08FB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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WM02N08FB datasheet

 ..1. Size:350K  way-on
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WM02N08FB

WM02N08FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

 6.1. Size:439K  way-on
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WM02N08FB

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

 7.1. Size:387K  way-on
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WM02N08FB

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 7.2. Size:450K  way-on
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WM02N08FB

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

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History: FDD6644

 

 

 

 

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