WM02N08FB - описание и поиск аналогов

 

WM02N08FB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N08FB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для WM02N08FB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N08FB даташит

 ..1. Size:350K  way-on
 wm02n08fb.pdf pdf_icon

WM02N08FB

WM02N08FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

 6.1. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N08FB

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

 7.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N08FB

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 7.2. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf pdf_icon

WM02N08FB

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02DN48A , WM02DN50M3 , WM02DN560Q , WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , IRFB4115 , WM02N08G , WM02N08H , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.