WM02N08H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02N08H
   Código: 02K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02N08H

WM02N08H Datasheet (PDF)

..1. Size:450K way-on
wm02n08h.pdf

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

7.1. Size:387K way-on
wm02n08l.pdf

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

7.2. Size:439K way-on
wm02n08f.pdf

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

7.3. Size:408K way-on
wm02n08g.pdf

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

7.4. Size:350K way-on
wm02n08fb.pdf

WM02N08FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

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Liste

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