WM02N08H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02N08H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Encapsulados: SOT723
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WM02N08H datasheet
wm02n08h.pdf
WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R
wm02n08l.pdf
WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R
wm02n08f.pdf
WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R
wm02n08g.pdf
WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R
Otros transistores... WM02DN560Q , WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , P55NF06 , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M .
History: TPHR9003NL
History: TPHR9003NL
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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