Справочник MOSFET. WM02N08H

 

WM02N08H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N08H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
 

 Аналог (замена) для WM02N08H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N08H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  way-on
 wm02n08h.pdf pdf_icon

WM02N08H

WM02N08H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N08H

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 7.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N08H

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

 7.3. Size:408K  way-on
 wm02n08g.pdf pdf_icon

WM02N08H

WM02N08G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02DN560Q , WM02DN60M3 , WM02DN70A , WM02DN70M3 , WM02DP06D , WM02N08F , WM02N08FB , WM02N08G , IRFB4115 , WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M .

History: SNN0630Q

 

 
Back to Top

 


 
.