WM02N75M2 Todos los transistores

 

WM02N75M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02N75M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de WM02N75M2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM02N75M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 8.1. Size:360K  way-on
 wm02n70me.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N70ME N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 7A DS DR

 9.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , IRF1010E , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M .

History: SVT068R5NSTR | 2SK1289 | WM02P06H | ME2303 | OSG55R140FF | 2N6845LCC4 | CS4J60A3-G

 

 
Back to Top

 


 
.