WM02N75M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02N75M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM02N75M2 MOSFET
WM02N75M2 Datasheet (PDF)
wm02n75m2.pdf

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR
wm02n70me.pdf

WM02N70ME N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 7A DS DR
wm02n08l.pdf

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR
wm02n08f.pdf

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR
Otros transistores... WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , K4145 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M .
History: N0604N | STD5N20LT4 | HM3018KR
History: N0604N | STD5N20LT4 | HM3018KR



Liste
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