Справочник MOSFET. WM02N75M2

 

WM02N75M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02N75M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02N75M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N75M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS DR

 8.1. Size:360K  way-on
 wm02n70me.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N70ME N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 7A DS DR

 9.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

 9.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N75M2

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS DDR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , IRF1010E , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M .

History: STT4P3LLH6 | OSG55R380AF | STFI15NM65N

 

 
Back to Top

 


 
.