WM02P06G Todos los transistores

 

WM02P06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02P06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

 Búsqueda de reemplazo de WM02P06G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM02P06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  way-on
 wm02p06g.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

 7.1. Size:364K  way-on
 wm02p06f.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

 7.2. Size:2423K  way-on
 wm02p06l.pdf pdf_icon

WM02P06G

Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

 7.3. Size:424K  way-on
 wm02p06h.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , 5N60 , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME .

History: STF23N80K5 | NDP610AE | NTMFS5C404NT3G | IRFH7936PBF

 

 
Back to Top

 


 
.