WM02P06G - аналоги и даташиты транзистора

 

WM02P06G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WM02P06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для WM02P06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  way-on
 wm02p06g.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06G P-Channel MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

 7.1. Size:364K  way-on
 wm02p06f.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

 7.2. Size:2423K  way-on
 wm02p06l.pdf pdf_icon

WM02P06G

Document: W0803106, Rev: B WM02P06L 1 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

 7.3. Size:424K  way-on
 wm02p06h.pdf pdf_icon

WM02P06G

WM02P06H P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , IRLB4132 , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME .

History: APT1201R5SVFR | IPB60R170CFD7

 

 
Back to Top

 


 
.