WM02P20G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02P20G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de WM02P20G MOSFET
WM02P20G Datasheet (PDF)
wm02p20g.pdf
WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR
wm02p23m.pdf
WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
wm02p26m.pdf
WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR
wm02p40me.pdf
WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
Otros transistores... WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , SPP20N60C3 , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 .
History: AP80SL990BJB | CM55N06 | YJG15GP10A | IPA65R380E6 | SL8N100H | UPA1873GR | 2SK3302
History: AP80SL990BJB | CM55N06 | YJG15GP10A | IPA65R380E6 | SL8N100H | UPA1873GR | 2SK3302
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor

