WM02P20G - описание и поиск аналогов

 

WM02P20G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02P20G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM02P20G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P20G даташит

 ..1. Size:480K  way-on
wm02p20g.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS D R

 8.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 8.2. Size:476K  way-on
wm02p26m.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS D R

 9.1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

Другие MOSFET... WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , SPP20N60C3 , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 .

History: LSE60R092GT | 2N65KG-TMS-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.