Справочник MOSFET. WM02P20G

 

WM02P20G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P20G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для WM02P20G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P20G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  way-on
wm02p20g.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR

 8.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 8.2. Size:476K  way-on
wm02p26m.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR

 9.1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P20G

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... WM02N70ME , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , AON7410 , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 .

History: HGP195N15SL | TPCA8A09-H | RSD160P05FRA | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.