WM02P40M3 Todos los transistores

 

WM02P40M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM02P40M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de WM02P40M3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM02P40M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  way-on
wm02p40m3.pdf pdf_icon

WM02P40M3

Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR

 6.1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdf pdf_icon

WM02P40M3

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 8.1. Size:535K  way-on
wm02p41m.pdf pdf_icon

WM02P40M3

WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdf pdf_icon

WM02P40M3

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

Otros transistores... WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , RFP50N06 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D .

History: STP20NM50 | 2KJ7107DFN | JCS7HN65R | HM4480 | UPA2720AGR | WM02P06F | CS12N80F

 

 
Back to Top

 


 
.