WM02P40M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM02P40M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для WM02P40M3
WM02P40M3 Datasheet (PDF)
wm02p40m3.pdf
Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR
wm02p40me.pdf
WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
wm02p41m.pdf
WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR
wm02p23m.pdf
WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
Другие MOSFET... WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , AON7410 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D .
History: FQD6N40C | LSGC10R080W3 | FQP17N40 | WM02P40ME | HM4614B
History: FQD6N40C | LSGC10R080W3 | FQP17N40 | WM02P40ME | HM4614B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536

















