WM02P56M3 Todos los transistores

 

WM02P56M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02P56M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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WM02P56M3 datasheet

 ..1. Size:568K  way-on
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WM02P56M3

WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R

 6.1. Size:536K  way-on
wm02p56m2.pdf pdf_icon

WM02P56M3

WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdf pdf_icon

WM02P56M3

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdf pdf_icon

WM02P56M3

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

Otros transistores... WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , IRFB3607 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H .

History: STM4886 | 2N65KG-TMS-T | OSG60R074FZF | MTB095N10KRN3 | ZXMN6A25K | MTP1N100 | SI7113ADN

 

 

 

 

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