WM02P56M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM02P56M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de WM02P56M3 MOSFET
WM02P56M3 Datasheet (PDF)
wm02p56m3.pdf

WM02P56M3 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR
wm02p56m2.pdf

WM02P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -5.6A DS DR
wm02p23m.pdf

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
wm02p40me.pdf

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
Otros transistores... WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , AON7506 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H .
History: FCH099N65S3 | IRHN57250SE | NCEP60T20D | VSP008C03MD | DMNH4006SK3 | VB2355 | SM7A25NSFP
History: FCH099N65S3 | IRHN57250SE | NCEP60T20D | VSP008C03MD | DMNH4006SK3 | VB2355 | SM7A25NSFP



Liste
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