WM03DH34M3 Todos los transistores

 

WM03DH34M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03DH34M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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WM03DH34M3 datasheet

 ..1. Size:665K  way-on
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WM03DH34M3

Document W0803130, Rev B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS D R

 8.1. Size:675K  way-on
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WM03DH34M3

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1 D2 N - Channel D2 V = 30V, I = 5.8A DS D R

 9.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

Document W0803227, Rev A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS D R

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS D R

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History: FDMS2502SDC | 2N65KG-TMS-T | OSG60R074FZF | SI7153DN | ZXMN6A25K | MTP1N100 | SI7113ADN

 

 

 

 

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