WM03DH34M3 - описание и поиск аналогов

 

WM03DH34M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03DH34M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для WM03DH34M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03DH34M3 даташит

 ..1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

Document W0803130, Rev B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS D R

 8.1. Size:675K  way-on
 wm03dh60a.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1 D2 N - Channel D2 V = 30V, I = 5.8A DS D R

 9.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

Document W0803227, Rev A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS D R

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DH34M3

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , IRF530 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M .

History: P0260EI | H50N03J | SI2318DS-T1-GE3 | SI2302AI-MS | MPG120N06P | SLP240C03D | FCPF190N65S3R0L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.