WM03DH34M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM03DH34M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для WM03DH34M3
WM03DH34M3 Datasheet (PDF)
wm03dh34m3.pdf
Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR
wm03dh60a.pdf
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR
wm03dn85a.pdf
Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR
wm03dp50a.pdf
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR
Другие MOSFET... WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , IRF530 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M .
History: FQP13N06L | BRCS2N65QF
History: FQP13N06L | BRCS2N65QF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815






