WM03DH60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM03DH60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: SOP8
Búsqueda de reemplazo de WM03DH60A MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WM03DH60A datasheet
wm03dh60a.pdf
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1 D2 N - Channel D2 V = 30V, I = 5.8A DS D R
wm03dh34m3.pdf
Document W0803130, Rev B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS D R
wm03dn85a.pdf
Document W0803227, Rev A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS D R
wm03dp50a.pdf
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS D R
Otros transistores... WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , CS150N03A8 , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406