WM03DH60A Todos los transistores

 

WM03DH60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03DH60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8L
 

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WM03DH60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  way-on
 wm03dh60a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf pdf_icon

WM03DH60A

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

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