Справочник MOSFET. WM03DH60A

 

WM03DH60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03DH60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WM03DH60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03DH60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  way-on
 wm03dh60a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf pdf_icon

WM03DH60A

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DH60A

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , IRLB4132 , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F .

History: AONS66916 | 2SK3353-Z | BUK7Y22-100E | TK39N60X | MCG30N03A | UT3N10G-AA3-R | 2SK3296-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.