WM03DN06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM03DN06D
Código: 36K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
Carga de la puerta (Qg): 0.45 nC
Tiempo de subida (tr): 15.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM03DN06D
WM03DN06D Datasheet (PDF)
wm03dn06d.pdf
WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03dn85a.pdf
Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR
wm03dh34m3.pdf
Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR
wm03dp50a.pdf
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR
wm03dh60a.pdf
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR
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