WM03DN06D Todos los transistores

 

WM03DN06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03DN06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM03DN06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  way-on
 wm03dn06d.pdf pdf_icon

WM03DN06D

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DN06D

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf pdf_icon

WM03DN06D

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DN06D

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

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History: FS3KM-10 | WFY3N02 | APT904R2AN | HMS21N65 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | STL60NH3LL

 

 
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