Справочник MOSFET. WM03DN06D

 

WM03DN06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03DN06D
   Маркировка: 36K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.45 nC
   Время нарастания (tr): 15.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для WM03DN06D

 

 

WM03DN06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  way-on
wm03dn06d.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.1. Size:388K  way-on
wm03dn85a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.1. Size:665K  way-on
wm03dh34m3.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
wm03dp50a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

 9.3. Size:675K  way-on
wm03dh60a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top