WM03DN06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM03DN06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для WM03DN06D
WM03DN06D Datasheet (PDF)
wm03dn06d.pdf

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03dn85a.pdf

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR
wm03dh34m3.pdf

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR
wm03dp50a.pdf

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR
Другие MOSFET... WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , IRFP450 , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A .
History: IRF840LCPBF | WM02P160R | MDD1051RH | STW38NB20
History: IRF840LCPBF | WM02P160R | MDD1051RH | STW38NB20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet