WM03DN06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM03DN06D
Маркировка: 36K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.45 nC
Время нарастания (tr): 15.5 ns
Выходная емкость (Cd): 8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
Тип корпуса: SOT363
WM03DN06D Datasheet (PDF)
wm03dn06d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03dn85a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR
wm03dh34m3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR
wm03dp50a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR
wm03dh60a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .