Справочник MOSFET. WM03DN06D

 

WM03DN06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03DN06D
   Маркировка: 36K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для WM03DN06D

 

 

WM03DN06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  way-on
 wm03dn06d.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

 9.3. Size:675K  way-on
 wm03dh60a.pdf

WM03DN06D WM03DN06D

WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features D1 Way-on Small Signal MOSFETs D1D2 N - Channel D2V = 30V, I = 5.8A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top