Справочник MOSFET. WM03DN06D

 

WM03DN06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03DN06D
   Маркировка: 36K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для WM03DN06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03DN06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  way-on
 wm03dn06d.pdf pdf_icon

WM03DN06D

WM03DN06D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.1. Size:388K  way-on
 wm03dn85a.pdf pdf_icon

WM03DN06D

Document: W0803227, Rev: A WM03DN85A 2 Dual N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 8.5A DS DR

 9.1. Size:665K  way-on
 wm03dh34m3.pdf pdf_icon

WM03DN06D

Document: W0803130, Rev:B WM03DH34M3 D N+P Dual Channel MOSFET Features N - Channel V = 30V, I = 3.4A DS DR

 9.2. Size:376K  way-on
 wm03dp50a.pdf pdf_icon

WM03DN06D

WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30V, I = -5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , IRFP450 , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A .

History: MTM26N40E | TK40A06N1 | 2SK2949 | PNMDP600V4

 

 
Back to Top

 


 
.