WM03N01L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM03N01L
Código: KN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM03N01L
WM03N01L Datasheet (PDF)
wm03n01l.pdf
Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n01g.pdf
Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n01h.pdf
WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n06m.pdf
WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03n09f.pdf
WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR
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Liste
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