WM03N01L Todos los transistores

 

WM03N01L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N01L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

 Búsqueda de reemplazo de WM03N01L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM03N01L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N01L

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N01L

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.2. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf pdf_icon

WM03N01L

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N01L

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , P60NF06 , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 .

History: APM9966C | AP9565AGJ | 2SK2753-01

 

 
Back to Top

 


 
.