Справочник MOSFET. WM03N01L

 

WM03N01L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03N01L
   Маркировка: KN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT523

 Аналог (замена) для WM03N01L

 

 

WM03N01L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf

WM03N01L WM03N01L

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf

WM03N01L WM03N01L

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.2. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf

WM03N01L WM03N01L

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf

WM03N01L WM03N01L

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.2. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf

WM03N01L WM03N01L

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top