STM105N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM105N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM105N
STM105N Datasheet (PDF)
stm105n.pdf
GreenProduct STM105NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100V 6A 31 @ VGS=10VSuface Mount Package.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter UnitsLimitVDS Drai
stm101n.pdf
GreenProduct STM101NaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.170 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3A260 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter
stm102d.pdf
GPPSTM102DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID216 @ VGS=10V 547 @ VGS=-10V100V 2.0A-100V -1.3A328 @ VGS=4.5V 614 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26D2 3 S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TC=25C unl
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