WM03N86M2 Todos los transistores

 

WM03N86M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03N86M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de WM03N86M2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WM03N86M2 datasheet

 ..1. Size:829K  way-on
 wm03n86m2.pdf pdf_icon

WM03N86M2

WM03N86M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 8.6A DS D R

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N86M2

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 9.2. Size:503K  way-on
 wm03n32m.pdf pdf_icon

WM03N86M2

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS D R

 9.3. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N86M2

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , RFP50N06 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.