FDP80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP80N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP80N06

FDP80N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:453K fairchild semi
fdp80n06.pdf

September 2007UniFETTMFDP80N06tmN-Channel MOSFET60V, 80A, 10mFeatures Description RDS(on) = 8.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge(Typ. 57nC)stripe, DMOS technology. Low Crss(Typ. 145pF)This advanced technology has been especially

9.1. Size:60K fairchild semi
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November 1999FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critic

9.2. Size:282K onsemi
fdp8030l fdb8030l.pdf

FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC electrica

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Liste

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