WM05N02G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05N02G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de WM05N02G MOSFET
WM05N02G Datasheet (PDF)
wm05n02g.pdf
WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR
wm05n02m.pdf
WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR
wm05n03m.pdf
WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR
Otros transistores... WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , IRF1405 , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M .
History: 2SK3676-01SJ | G5N50J | STF9N65M2
History: 2SK3676-01SJ | G5N50J | STF9N65M2
Liste
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