WM05N02G Todos los transistores

 

WM05N02G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM05N02G
   Código: SS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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WM05N02G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  way-on
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WM05N02G

WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR

 7.1. Size:730K  way-on
 wm05n02m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR

 8.1. Size:476K  way-on
 wm05n03m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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