Справочник MOSFET. WM05N02G

 

WM05N02G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM05N02G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для WM05N02G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM05N02G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  way-on
 wm05n02g.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR

 7.1. Size:730K  way-on
 wm05n02m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR

 8.1. Size:476K  way-on
 wm05n03m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR

Другие MOSFET... WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , IRFZ48N , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M .

 

 
Back to Top

 


 
.