WM05N02G - описание и поиск аналогов

 

WM05N02G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM05N02G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM05N02G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM05N02G даташит

 ..1. Size:509K  way-on
 wm05n02g.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS D R

 7.1. Size:730K  way-on
 wm05n02m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS D R

 8.1. Size:476K  way-on
 wm05n03m.pdf pdf_icon

WM05N02G

WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS D R

Другие MOSFET... WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , STP65NF06 , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M .

History: LSE80R680GT | AON6912

 

 

 

 

↑ Back to Top
.