WM05N02G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM05N02G
Маркировка: SS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.5 nC
Время нарастания (tr): 1.5 ns
Выходная емкость (Cd): 5.9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.1 Ohm
Тип корпуса: SOT323
WM05N02G Datasheet (PDF)
wm05n02g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR
wm05n02m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR
wm05n03m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![WM05N02G](https://alltransistors.com/images/us.png)
![WM05N02G](https://alltransistors.com/images/es.png)
![WM05N02G](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C