WM05P02M Todos los transistores

 

WM05P02M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM05P02M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 0.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM05P02M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  way-on
 wm05p02m.pdf pdf_icon

WM05P02M

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 7.1. Size:335K  way-on
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WM05P02M

Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR

 7.2. Size:617K  way-on
 wm05p02g.pdf pdf_icon

WM05P02M

WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 8.1. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf pdf_icon

WM05P02M

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR

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History: 2SK3774-01L | P2610ADG | FDC638APZ | S10H12S | 2SK2052-R | UT3N10G-AA3-R | SIHFP048R

 

 
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