Справочник MOSFET. WM05P02M

 

WM05P02M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM05P02M
   Маркировка: 84E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 0.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM05P02M

 

 

WM05P02M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  way-on
 wm05p02m.pdf

WM05P02M WM05P02M

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 7.1. Size:335K  way-on
 wm05p02f.pdf

WM05P02M WM05P02M

Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR

 7.2. Size:617K  way-on
 wm05p02g.pdf

WM05P02M WM05P02M

WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 8.1. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf

WM05P02M WM05P02M

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR

 8.2. Size:502K  way-on
 wm05p01g.pdf

WM05P02M WM05P02M

WM05P01G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top