WM05P02M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM05P02M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 0.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM05P02M
WM05P02M Datasheet (PDF)
wm05p02m.pdf
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf
Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
wm05p02g.pdf
WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p01m.pdf
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
Другие MOSFET... WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , AON7403 , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M .
History: BRFL7N60 | ASDM30N55E | HM2302BWKR | WMK05N100C2 | 2SJ511 | SIS456DN | BRFL20N50
History: BRFL7N60 | ASDM30N55E | HM2302BWKR | WMK05N100C2 | 2SJ511 | SIS456DN | BRFL20N50
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20