WM06N03LE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM06N03LE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de WM06N03LE MOSFET
WM06N03LE Datasheet (PDF)
wm06n03le.pdf

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03ge.pdf

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03m.pdf

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03fb.pdf

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR
Otros transistores... WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , HY1906P , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M .
History: MMBFJ305 | IRF5M3205 | SML100M12MSF | MRF176GV | BSS139 | IRF6727MPBF | PSMN4R3-80ES
History: MMBFJ305 | IRF5M3205 | SML100M12MSF | MRF176GV | BSS139 | IRF6727MPBF | PSMN4R3-80ES



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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