WM06N03LE - описание и поиск аналогов

 

WM06N03LE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM06N03LE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для WM06N03LE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N03LE даташит

 ..1. Size:889K  way-on
wm06n03le.pdfpdf_icon

WM06N03LE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.1. Size:882K  way-on
wm06n03ge.pdfpdf_icon

WM06N03LE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.2. Size:824K  way-on
wm06n03m.pdfpdf_icon

WM06N03LE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 7.3. Size:462K  way-on
wm06n03fb.pdfpdf_icon

WM06N03LE

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS D D R

Другие MOSFET... WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , AOD4184A , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.