Справочник MOSFET. WM06N03LE

 

WM06N03LE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM06N03LE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N03LE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N03LE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N03LE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:824K  way-on
 wm06n03m.pdf pdf_icon

WM06N03LE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.3. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf pdf_icon

WM06N03LE

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDS4685 | SIHG47N60S | UPA2753GR | HGI110N08AL | AP2311GN | IPB048N06LG | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.