WM06N03LE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WM06N03LE
Маркировка: K72
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.34 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.06 nC
Время нарастания (tr): 2.4 ns
Выходная емкость (Cd): 5.6 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: SOT523
WM06N03LE Datasheet (PDF)
wm06n03le.pdf
WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03ge.pdf
WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03m.pdf
WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03fb.pdf
WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR
wm06n03fe.pdf
WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR
wm06n03he.pdf
WM06N03HE N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
