WM10N20M Todos los transistores

 

WM10N20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM10N20M
   Código: 2324
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM10N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N20M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

 9.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N20M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.2. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf pdf_icon

WM10N20M

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 9.3. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf pdf_icon

WM10N20M

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

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History: S70N08ZRP | BRCS80N03DP | ME7632 | IRLML6244 | SVF4N65CAF

 

 
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