WM15P10M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM15P10M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM15P10M2 MOSFET
WM15P10M2 Datasheet (PDF)
wm15p10m2.pdf

WM15P10M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -150V, I = -1A DS DR
Otros transistores... WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , IRF540 , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 .
History: SI3443BDV | AP2304AGN | SI4840DY-T1-E3 | ZVN4424Z | SWT18N65D | BUZ15 | IRFB5620PBF
History: SI3443BDV | AP2304AGN | SI4840DY-T1-E3 | ZVN4424Z | SWT18N65D | BUZ15 | IRFB5620PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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