WM15P10M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM15P10M2
Código: 15P1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 9.6 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM15P10M2
WM15P10M2 Datasheet (PDF)
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WM15P10M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -150V, I = -1A DS DR
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