WM15P10M2 Todos los transistores

 

WM15P10M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM15P10M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM15P10M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  way-on
wm15p10m2.pdf pdf_icon

WM15P10M2

WM15P10M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -150V, I = -1A DS DR

Otros transistores... WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , IRF540N , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 .

History: 23N50 | ST13P10 | 2SK2056 | 2SK1760

 

 
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