Справочник MOSFET. WM15P10M2

 

WM15P10M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM15P10M2
   Маркировка: 15P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.6 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 21 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM15P10M2

 

 

WM15P10M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  way-on
wm15p10m2.pdf

WM15P10M2
WM15P10M2

WM15P10M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -150V, I = -1A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top