WMO4N65D1B Todos los transistores

 

WMO4N65D1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMO4N65D1B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de WMO4N65D1B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMO4N65D1B datasheet

 ..1. Size:1584K  way-on
 wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf pdf_icon

WMO4N65D1B

WMAA4N65D1B WMK4N65D1B WML4N65D1B WMO4N65D1B 650V 4A 2.2 N-ch Power MOSFET Description TO-220F TO-220 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power G G density and high efficiency. And it is very D D S S robust and RoHS compliant. TO-252 TO-251-L9.4 TAB Featur

Otros transistores... WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , IRLZ44N , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 , WMB017N03LG2 , WMB018N04LG2 , WMB020N03LG4 , WMB020N06HG4 .

History: WMM03N80M3 | IRF7331 | WMM07N100C2 | WMP06N80M3 | HFP4N65 | BFC60 | 2SK2598

 

 

 

 

↑ Back to Top
.