Справочник MOSFET. WMO4N65D1B

 

WMO4N65D1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMO4N65D1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WMO4N65D1B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO4N65D1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1584K  way-on
 wmaa4n65d1b wmk4n65d1b wml4n65d1b wmo4n65d1b.pdf pdf_icon

WMO4N65D1B

WMAA4N65D1B WMK4N65D1BWML4N65D1B WMO4N65D1B650V 4A 2.2 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-220WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerG Gdensity and high efficiency. And it is very D DS Srobust and RoHS compliant.TO-252TO-251-L9.4TABFeatur

Другие MOSFET... WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , IRFP260N , WMB010N04LG4 , WMB014N04LG4 , WMB014N06HG4 , WMB014N06LG4 , WMB017N03LG2 , WMB018N04LG2 , WMB020N03LG4 , WMB020N06HG4 .

History: MTDN8233CDV8 | IPG16N10S4L-61A | TPC8104-H | IPD90N10S4-06 | IPD80R900P7 | PJM138NSA | MEE3710T

 

 
Back to Top

 


 
.