STM101N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM101N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
STM101N Datasheet (PDF)
stm101n.pdf

GreenProduct STM101NaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.170 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 3A260 @ VGS=4.5VS O-81C(TA=25 unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter
stm105n.pdf

GreenProduct STM105NaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100V 6A 31 @ VGS=10VSuface Mount Package.SO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter UnitsLimitVDS Drai
stm102d.pdf

GPPSTM102DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID216 @ VGS=10V 547 @ VGS=-10V100V 2.0A-100V -1.3A328 @ VGS=4.5V 614 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26D2 3 S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11(TC=25C unl
Otros transistores... FDP80N06 , FDP8440 , FDP8441 , FDP8443F085 , FDP8447L , FDP8860 , STM102D , FDP8870 , 7N60 , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , STK400 .
History: STFI9N60M2 | 2SK3034 | SSP65R190S3 | HAT2171H | PSMN7R5-30YLD | CS3N100P | NCE65N900I
History: STFI9N60M2 | 2SK3034 | SSP65R190S3 | HAT2171H | PSMN7R5-30YLD | CS3N100P | NCE65N900I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772