WMB100N07TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB100N07TS
Código: B100N07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 92 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB100N07TS
WMB100N07TS Datasheet (PDF)
wmb100n07ts.pdf
WMB100N07TS 70V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDWMB100N07TS uses advanced power trench technology that has DD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 70V, I = 100A DS DR
wmb100p03ts.pdf
WMB100P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB100P03TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -30V, I = -100A DS DR
wmb108n03t1.pdf
WMB108N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB108N03T1 uses advanced power trench technology that has D DDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 30 V, I = 108A DS DR
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