WMB120P06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB120P06TS
Código: B120P06S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 168.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 84 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: PDFN5060-8L
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WMB120P06TS datasheet
wmb120p06ts.pdf
WMB120P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB120P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and G ss s ss G yet maintain superior switching performance. s Features PDFN5060-8L V = -60V, I = -120A DS D R
wmb128n10t2.pdf
WMB128N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMB128N10T2 uses advanced power trench technology that has DD D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G yet maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = 100 V, I = 128A DS D R
wmb129n10t2.pdf
WMB129N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB129N10T2 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G yet maintain superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = 100 V, I = 129A Silicon Limited DS D R
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