WMB510N15HG2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB510N15HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB510N15HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB510N15HG2 datasheet

..1. Size:638K way-on
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WMB510N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D DD D D D WMB510N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET G technology that has been especially tailored to minimize the on-state ss s ss G s resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching performance.. PDFN50

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History: CS3N80BL | AP65SL105AFS | WMB56N04T1

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