WMB510N15HG2 Todos los transistores

 

WMB510N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB510N15HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB510N15HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  way-on
 wmb510n15hg2.pdf pdf_icon

WMB510N15HG2

WMB510N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB510N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching performance.. PDFN50

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History: NTD360N80S3Z | IRFS150 | ZXMP10A18G | FDD86369-F085 | MTP1N60E | SCT3160KL | IXTP76N075T

 

 
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