WMB70N04T1 Todos los transistores

 

WMB70N04T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB70N04T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB70N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:974K  way-on
 wmb70n04t1.pdf pdf_icon

WMB70N04T1

WMB70N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB70N04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 70A DS DR

 9.1. Size:609K  way-on
 wmb70p02ts.pdf pdf_icon

WMB70N04T1

WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB70P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -70A DS DR

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History: ZXMN3A04DN8 | 2SK3068B | OSG60R180HSF | 2SK3376MFV | LNA2306LT1G | TPC8051-H | 2SK2604

 

 
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