Справочник MOSFET. WMB70N04T1

 

WMB70N04T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB70N04T1
   Маркировка: B70N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB70N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:974K  way-on
 wmb70n04t1.pdf pdf_icon

WMB70N04T1

WMB70N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB70N04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 70A DS DR

 9.1. Size:609K  way-on
 wmb70p02ts.pdf pdf_icon

WMB70N04T1

WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB70P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -70A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: R6007MNJ | WSF90P03 | 2SK906 | IXTA300N04T2 | STB55NF06 | AO4335 | DMP3056LDM

 

 
Back to Top

 


 
.